盖世汽车讯 据外媒报道,半导体制造商罗姆开发出100v耐压肖特基势垒二极管(sbd),可为汽车、工业和消费应用中的电源和保护电路提供业界领先的反向恢复时间(reverse recovery time,trr)。
尽管存在多种类型的二极管,但高效sbd越来越多地用于各种应用。特别是具有沟槽mos结构的sbd,其vf低于平面型,可在整流应用中实现更高的效率。然而,沟槽mos结构的一个缺点是trr通常比平面拓扑差,导致用于开关时的功率损耗更高。
为此,罗姆开发出新系列,采用专有的沟槽mos结构,可同时降低vf和ir,同时实现同类领先的trr。
郑重声明:此文内容为本网站转载企业宣传资讯,目的在于传播更多信息,与本站立场无关。仅供读者参考,并请自行核实相关内容。